6H-SiC相关论文
此文用第一性原理密度泛函理论（DFT）的广义梯度近似（GGA）的平面波赝势法（PBE）,计算了未掺杂及Co替位Si掺杂的6H-SiC体系的电子结构与光学......
在400℃下对单晶6H-SiC进行了400keV氦离子辐照,辐照剂量为1×1016He+/cm~2,随后在1200和1500℃退火30min。采用透射电子显微镜和......
随着电力电子技术的快速发展,以碳化硅（SiC）为材料的第三代宽禁带半导体大功率电力电子器件迅猛发展。SiC以其卓越的机械、化学、物......
辐照会引起MOS器件电介质氧化物与半导体界面势垒变化，影响其工作性能和可靠性。测量了n型6H-SiC MOS电容辐照105rad(Si)剂量前后的......
三片具有不同载流子浓度的n型6H-SiC体材料用于83 K到673 K的变温拉曼散射研究,能够得到变温的拉曼散射模.通过测量可以得到,随着......
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对未掺杂及La掺杂6H-SiC的电子结构和光学性质进行理论计算.计算结果表明,未掺杂6H-Si......
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对未掺杂及Ce掺杂6H-SiC的电子结构和光学性质进行理论计算.计算结果表明,未掺杂6H-Si......
在可商业获得的单晶 6 H- Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ;并在此 6 H - Si C结构材料上 ,利用反应离子刻蚀和......
半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的C-V曲线平带电压漂移。在1 200℃下热氧化,生成SiC/SiO2界面,进而制作MOS......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Effective Increase of Crystal Area during Sublimation Growth of 6H-SiC by Using the Cone-shaped Baff
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
在可商业获得的 N型 6 H - Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,通过热蒸发 ,制作 Ni/6 H- Si C肖......
在N型6H-SiC外延片上，通过热蒸发，制作Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)．通过化学气相淀积，进行同质外延生长，详细测量并分析了肖特基二极......
研究了 10 0 0～ 12 0 0℃温度下干氧和湿氧中 6H SiC材料的氧化特性 ,讨论了氧化层厚度与温度、时间、气氛的关系 .实验结果表明 ,......
采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900～1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H-SiC单晶薄膜.其晶体质量和结构由X......
6H-SiC bulk crystals have been prepared by sublimation method in an inductively heated growth reactor. The effect of nit......
运用器件模拟软件模拟了pn结6H-SiC紫外光探测器的光响应灵敏度特性.讨论了不同掺杂浓度、不同器件结深对响应灵敏度的影响.对于p+......
相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用......
High-resolution X-ray diffractometry (HRXRD) was used to assess the quality of 6H-SiC crystals grown by sublimation meth......
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采用扫描电镜(SEM)和光学显微镜(OM)观察物理气相传输(PVT)法生长掺V6H-SiC单晶新鲜表面时,发现具有特定形状的析出相,经SEM能谱(E......
在分子束外延(MBE)设备中,采用高温退火的方法在6H-SiC(0001)表面外延石墨烯,并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响.利用......
提出了一种SiC反型层表面粗糙散射的指数模型 ,并对 6H SiC反型层迁移率进行了单电子的MonteCarlo模拟 ,模拟中考虑了沟道区的量子......
势垒高度Φ和理想因子n是混合肖特基/PIN(MPS)二极管正向输运下的重要参数,而软度因子是MPS反向恢复能力的衡量指标之一。对6H-SiC......
作者通过氧化、刻蚀和沸水处理的方法,在n型6H-SiC的C面上制备了线性较好的欧姆接触.作者对C面和Si面的欧姆接触的退火特性进行了......
研究了新型SiCMOS电容的制备工艺。采用干O2+CHCCl3(TCE)热氧化方法生长6H-SiCMOS氧化层。研究了TCE浓度与SiC/SiO2界面态电荷密度......
通过干氧氧化的方法,在6H-SiC表面生长一层SiO2层,接着置于N2气氛中经过不同的温度退火,使用红外显微仪分别测量退火前后的红外反......
在温度为60～80℃的条件下用剂量为1.72×1019 n/cm2的中子对6H-SiC晶体进行了辐照,利用X射线衍射等方法观测了中子辐照引起的缺......
在温度为60～80℃的条件下用剂量为1.72×1019 n/cm2的中子对6H-SiC晶体进行了辐照,利用X射线衍射等方法观测了中子辐照引起的缺......
采用二维器件模拟器ISE TCAD7．0，对比研究了6H-SiC和4H-SiCVDMOS的基本特性。结果表明，在Vgs为8V时，4H-SiCVDMOS的漏极电流比6H-SiC高......
鉴于利用离子注入技术掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散对器件性能的影响,应用卢瑟福背......
鉴于利用离子注入技术掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散对器件性能的影响,应用卢瑟福背......
基于对一维泊松方程的解析求解以及对表面势的迭代计算,建立了适于模拟n沟6H-SiC MOSFET直流I-V特性以及小信号参数的解析模型.模......
6H-SiC晶体生长过程中单晶锭边缘形成的多晶环影响单晶体的品质。本研究制定了以改进坩埚系统结构为主、调整线圈与坩埚相对位置为......
6H-SiC晶体生长过程中单晶锭边缘形成的多晶环影响单晶体的品质。本研究制定了以改进坩埚系统结构为主、调整线圈与坩埚相对位置为......
提出了一种考虑Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的SiC Schottky二极管(SBD)正向特性模型，势垒的不均匀性来自于SiC外延层上的各......
研究了钒掺杂生长半绝缘6H-SiC的补偿机理.二次离子质谱分析结果表明,非故意掺杂生长的6H-SiC中,氮是主要的剩余浅施主杂质.通过较......
研究了钒掺杂生长半绝缘6H-SiC的补偿机理.二次离子质谱分析结果表明,非故意掺杂生长的6H-SiC中,氮是主要的剩余浅施主杂质.通过较......
碳化硅（SIC）是第三代宽禁带半导体材料，在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。以CH4、SiH4为反应气体，H2为......
在结合考虑6H-SiC肖特基二极管正向热电子发射理论和氢吸附效应的基础上,研究了MIS氢敏传感器的敏感机理,建立了传感器模型,具体分......
在Si（111）衬底上,采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过低压化学气相沉积（LPCVD）工艺外延出结晶质量良好的SiC薄膜。低温光致发光谱表明......
在Si（111）衬底上,采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过低压化学气相沉积（LPCVD）工艺外延出结晶质量良好的SiC薄膜。低温光致发光谱表明......
使用物理气相传输方法（PVT）制备了2英寸Ti掺杂与非故意掺杂6H-SiC衬底,并对衬底进行热处理。使用拉曼光谱仪、低温光致发光谱（LTPL）和......
使用物理气相传输方法（PVT）制备了2英寸Ti掺杂与非故意掺杂6H-SiC衬底,并对衬底进行热处理。使用拉曼光谱仪、低温光致发光谱（LTPL）和......
对6H—SiC单晶体材料进行了从80到320K的低温变温拉曼光谱测量，从实验得到的谱图上指认了部分6H—SiC的折叠拉曼峰，重点利用三声子模......
为了研究6H-SiC材料制作的pn结二极管探测器的辐照特性，采用蒙卡程序模拟研究了4.3和1.8 MeV能量的α粒子在辐照探测器中的物理过程......
目的揭示电芬顿参数对生成羟基自由基(·OH)最大浓度和·OH总量的影响规律,实现电芬顿反应对单晶6H-SiC氧化腐蚀的最大化......
